On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автор:	H. P. Haidar
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000996210
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2012)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Non-Steady-State Growth During Directional Solidification of Various Crystallographic Orientations
за авторством: Fedorov, O.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Automated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
за авторством: G. S. Pekar, та інші
Опубліковано: (2016)

Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Аutomated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
за авторством: Pekar, G.S., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of the crystallographic orientation on the sapphire surface roughness in diamond machining
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Twists on the Torus Equivariant under the 2-Dimensional Crystallographic Point Groups
за авторством: Gomi, K.
Опубліковано: (2017)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

On the role of crystallographic texture under corrosion of hot-drawn carbon steel rods
за авторством: N. M. Shkatuliak, та інші
Опубліковано: (2012)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Linear polarization of photons produced by the electrons moving along the crystallographic plane in a silicon crystal
за авторством: Denyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)