On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
1. Verfasser:	H. P. Haidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2019
Schriftenreihe:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000996210
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