The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, H. V. Stanchu, T. M. Sabov, V. P. Melnik, S. B. Kryvyi, A. E. Belyaev
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000445
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Modelling and diagnostics of damages and strains in a crystal of Gd3Ga5O12 after implantation of F ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)

AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)

Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)

Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)

Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of helium ion implantation on the form of an elementary cell in near-surface layers of single crystals
за авторством: I. P. Yaremii, та інші
Опубліковано: (2013)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation
за авторством: Rozhin, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Distribution of chemical elements in the surface layer of the films implanted ions SI+ with yttrium iron garnet
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2014)