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The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, H. V. Stanchu, T. M. Sabov, V. P. Melnik, S. B. Kryvyi, A. E. Belyaev
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2019
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000445
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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