Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. V. Konoreva, P. H. Lytovchenko, O. I. Radkevych, V. M. Popov, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2019
|
| Schriftenreihe: | Nuclear physics and atomic energy |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001018738 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)