Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Konoreva, P. H. Lytovchenko, O. I. Radkevych, V. M. Popov, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001018738 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021) -
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021) -
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020) -
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023) -
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)