Зображення обкладинки

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автор:	A. Latreche
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073938
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)

Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanical modification of electronic properties of ultrathin β-Ga2O3 films
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2021)

Mechanical modification of electronic properties of ultrathin β-Ga2O3 films
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2021)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetics of current formation in molecular diode
за авторством: E. G. Petrov, та інші
Опубліковано: (2012)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)