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Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
1. Verfasser:	A. Latreche
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2019
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073938
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