Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: B. D. Shanina, Ya. Bratus
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2018
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923033
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS