Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | B. D. Shanina, Ya. Bratus |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2018
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923033 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (V₍Sᵢ₎-V₍C₎)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC
за авторством: Iвженко, Вячеслав, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Iвженко, Вячеслав, та інші
Опубліковано: (2025)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Extended Hamiltonians, Coupling-Constant Metamorphosis and the Post-Winternitz System
за авторством: Chanu, C.M., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Chanu, C.M., та інші
Опубліковано: (2015)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
On the Extended-Hamiltonian Structure of Certain Superintegrable Systems on Constant-Curvature Riemannian and Pseudo-Riemannian Surfaces
за авторством: Chanu, Claudia Maria, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Chanu, Claudia Maria, та інші
Опубліковано: (2020)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)
Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
Corrosion resistence of the hot-pressed B4C–VC ceramic system
за авторством: O. N. Kajdash, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. N. Kajdash, та інші
Опубліковано: (2018)
The influence of VC–Al additive on wear resistance of cBN-based composites
за авторством: K. V. Slipchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Slipchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Кинетические закономерности горячего прессования СМС-композитов B₄C–15(VC–TiH₂)
за авторством: Ивженко, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ивженко, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
The influence of VC-Al additive content on structure and phase composition of cBN based superhard materials
за авторством: K. V. Slipchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Slipchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
First Integrals of Extended Hamiltonians in n+1 Dimensions Generated by Powers of an Operator
за авторством: Chanu, C., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Chanu, C., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (V₍Sᵢ₎-V₍C₎)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018) -
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015) -
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015) -
Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)