Зображення обкладинки

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	D. V. Savchenko, E. N. Kalabukhova, B. D. Shanina, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923036
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches
за авторством: N. T. Bagraev, та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The process of electrochemical deposition of zinc in the presence of boron-doped detonation nanodiamonds
за авторством: G. K. Burkat, та інші
Опубліковано: (2017)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

The effect of doping on the lattice parameter and properties of cubic boron nitride
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2020)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)

Low-temperature resistance minimum in granular hole-doped cobaltites
за авторством: Ju. N. Tszjan, та інші
Опубліковано: (2012)

Assessment of the resolution of scanning tunneling microscope with a tip of a boron-doped diamond
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013)

PHASE SYNCHRONIZATION OF PARTICLES AT CYCLOTRON RESONANCES
за авторством: Buts, V. A., та інші
Опубліковано: (2024)

Phase synchronization of particles at cyclotron resonances
за авторством: V. A. Buts, та інші
Опубліковано: (2024)

Exciton of the spatially-divided electron and hole in the quasi-zero-dimensional nanostructures
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014)

Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)

Sponge-like nanostructured silicon for integrated emitters
за авторством: Hubarevich, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Sintering and properties of materials based on silicon, boron and titanium carbides obtained by electrospark sintering
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Equilibrium orbits U-240 cyclotron calculation
за авторством: A. E. Valkov, та інші
Опубліковано: (2013)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)

Chaotic dynamics at cyclotron resonances
за авторством: Buts, V.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Studies of radionuclides behavior on heavily contaminated 5-km zone of ShNPP
за авторством: D. M. Bondarkov, та інші
Опубліковано: (2016)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)