Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	D. V. Savchenko, E. N. Kalabukhova, B. D. Shanina, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923036
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