Зображення обкладинки

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	D. V. Savchenko, E. N. Kalabukhova, B. D. Shanina, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923036
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches
за авторством: N. T. Bagraev, та інші
Опубліковано: (2017)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches
за авторством: Bagraev, N.T., та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The process of electrochemical deposition of zinc in the presence of boron-doped detonation nanodiamonds
за авторством: G. K. Burkat, та інші
Опубліковано: (2017)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)

Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)

The effect of doping on the lattice parameter and properties of cubic boron nitride
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2020)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)

Low-temperature resistance minimum in granular hole-doped cobaltites
за авторством: Ju. N. Tszjan, та інші
Опубліковано: (2012)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)