Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | G. A. Pashchenko, Yu. Kravetskyi, L. I. Trishchuk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2018
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923040 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
von: A. F. Djadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. F. Djadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
von: A. V. Fomin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. V. Fomin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
von: Fomin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Fomin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Sapaev, B., et al.
Veröffentlicht: (2005)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Features of electrochemical hydrogen charging of low-alloyed steel of pipeline in model solution of soil water
von: I. M. Dmytrakh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: I. M. Dmytrakh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
von: Brodovoy, А.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Brodovoy, А.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
von: Milovanov, Y.S., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Milovanov, Y.S., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction
von: Vitusevich, S. A., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Vitusevich, S. A., et al.
Veröffentlicht: (1999)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Ähnliche Einträge
-
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
von: Pashchenko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
von: A. F. Djadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
von: A. V. Fomin, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
von: Fomin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)