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Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	V. V. Korotyeyev, V. O. Kochelap, S. V. Sapon, B. M. Romaniuk, V. P. Melnik, O. V. Dubikovskyi, T. M. Sabov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923043
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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