Зображення обкладинки

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	M. M. Krasko, A. G. Kolosiuk, V. V. Voitovych, Yu. Povarchuk, I. S. Rogutskyi
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2018
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940905
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Synthesis of Si3N4—ZrN composite powder without subsequent milling
за авторством: I. V. Kud, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)

Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, O.
Опубліковано: (2003)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, Oleg
Опубліковано: (2018)

Phase and structural evolution during mechanical alloying, subsequent annealing and pressure sintering of AlCuNiFeCr high entropy alloy
за авторством: O. I. Yurkova, та інші
Опубліковано: (2015)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)