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Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	M. M. Krasko, A. G. Kolosiuk, V. V. Voitovych, Yu. Povarchuk, I. S. Rogutskyi
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940905
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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