Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	G. I. Syngaivska, V. V. Koroteev, V. A. Kochelap
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941353
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