Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | D. I. Bletskan, V. V. Frolova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941355 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2016) -
Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
за авторством: Mamalui, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)