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S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941358
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