Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | O. V. Kozynets, C. V. Lytvynenk, V. A. Skryshevskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Theoretical analysis of the efficiency of silicon solar cells with amorphized layers in the space charge region
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2015)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Cyber-physical Systems as the Basis for the Intellectualization of "Smart" Enterprises
за авторством: Yu. Meitus, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Meitus, та інші
Опубліковано: (2019)
Information and measuring system on the basis of strain sensors based on silicon microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Cloudy "autographs" of the Earth's deep faults
за авторством: N. N. Shatalov
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. N. Shatalov
Опубліковано: (2017)
Poem of deep pessimism ("Maria" by Antoni Malczewski)
за авторством: Yu. Maslianka
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. Maslianka
Опубліковано: (2013)
Plasma process of producing a "solar" silicon
за авторством: S. V. Petrov
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Petrov
Опубліковано: (2013)
Alternatives of "shale scenario" of development of the Russian fuel and energy complex on the basis of the deep oil paradigm of petroleum geology
за авторством: A. I. Timurziev
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. I. Timurziev
Опубліковано: (2018)
Seismotectonics of the Oash and Transcarpathian deep faults junction zone (Ukrainian transcarpathians)
за авторством: A. Nazarevych, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: A. Nazarevych, та інші
Опубліковано: (2022)
The legendary Pochayna of Kyiv and the "deep geography" of Timothy Snyder
за авторством: M. Annabella, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. Annabella, та інші
Опубліковано: (2022)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Analysis of the influence of the magnetic field on physical processes in photoelectric converters based on a computer model
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of physical and "geometrical" factors on the properties of thermoelectric materials
за авторством: V. V. Shchennikov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Shchennikov, та інші
Опубліковано: (2013)
NSC "KIPT" - 80! Kharkov academy of physical sciences
за авторством: V. T. Tolok
Опубліковано: (2008)
за авторством: V. T. Tolok
Опубліковано: (2008)
Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)
Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)
"Ethnographic sensitivity" as the basis of "greek marvel" in the mirror of antiques coins
за авторством: V. Hurmak
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. Hurmak
Опубліковано: (2018)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
Review on the Rosatom document "Strategy for the establishment of a deep disposal facility for radioactive waste"
за авторством: V. N. Komlev
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. N. Komlev
Опубліковано: (2018)
Rationalization of deep boreholes drilling in the conditions of PJSC "Zaporizskyi iron-ore plant"
за авторством: O. E. Khomenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. E. Khomenko, та інші
Опубліковано: (2018)
The system "superplume – deep-lying segments of petroliferous basins" an inexhaustible source of hydrocarbons
за авторством: A. E. Lukin
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Lukin
Опубліковано: (2015)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Ontological Basis of the Project "Artificial Intellectual Hand"
за авторством: A. I. Timofeev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Timofeev, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017) -
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012) -
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)