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Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	O. V. Kozynets, C. V. Lytvynenk, V. A. Skryshevskyi
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686
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