Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, R. I. Pazyuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703701 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Tamm resonances and minibands in the models of atomic chains and superlattices
за авторством: Gerasimov, O.I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gerasimov, O.I., та інші
Опубліковано: (2000)
Hole, impurity and exciton states in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
The effect of polarization charges on energy of univalent and bivalent donors in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Polaron in cylindrical and spherical quantum dots
за авторством: Fai, L.C., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Fai, L.C., та інші
Опубліковано: (2004)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
Evolution of quasistationary electron spectrum in open spherical quantum dot
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Electron energy spectrum in a spherical quantum dot with smooth confinement
за авторством: Holovatsky, V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Holovatsky, V., та інші
Опубліковано: (2007)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Photoionization cross section in a spherical quantum dot: Effects of some parabolic confining electric potentials
за авторством: Tshipa, M.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tshipa, M.
Опубліковано: (2017)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Electric properties of the interface quantum dot — matrix
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Polaron density of states of AlAs/GaAs/AlAs and PbS/PbTe/PbS type quantum well
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic emission of hybrid nanosystem "spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle"
за авторством: Yu. V. Kriuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. V. Kriuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Excitonic emission of hybrid nanosystem "spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle"
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000) -
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012) -
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)