Зображення обкладинки

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	S. V. Stariy, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, V. O. Yukhymchuk, T. R. Stara
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714492
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and morphological properties of annealed films of the As2S3-Sb2S3-SbI3 system
за авторством: Грещук, О. М., та інші
Опубліковано: (2023)

Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)

Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of annealing on electrical and magnetic properties of the Ni2MnGa films
за авторством: N. N. Krupa, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)