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Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	S. V. Stariy, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, V. O. Yukhymchuk, T. R. Stara
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714492
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