Buchumschlag

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	S. A. Iliash, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, V. S. Lysenko, Yu. M. Kozyrev, V. V. Lendel
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741636
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
von: Ye. Ye. Melnichuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
von: Yu. M. Kozyriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
von: Ismail, Raid A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
von: Kozyrev, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
von: Amer, H.H., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
von: H. H. Amer, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optical properties of Ge-As-S thin films
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
von: Kozyrev, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
von: I. D. Tolmachov, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu₇GeS₅I thin films
von: Studenyak, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
von: Claudio, D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Optical studies of as-deposited and annealed Cu7GeS5I thin films
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
von: Shukla, S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties
von: Horvat, G.T., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Гниленко, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
von: Shchurova, T.N., et al.
Veröffentlicht: (2010)