Distribution of concentration of impurities and "impurity–vacancy" complexes beyond the range of ions during implantation
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | V. Y. Suhakov, A. A. Cherniuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000745612 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: V. M. Loktev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Kinetic processes in solid helium with impurities and vacancies
за авторством: V. A. Majdanov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
за авторством: I. V. Horichok
Опубліковано: (2012) -
First principles calculations of indium impurity-cadmium vacancy complex in CdTe
за авторством: Yuriychuk, I., та інші
Опубліковано: (2018)