Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | P. V. Parfenyuk, A. A. Evtukh, I. M. Korobchuk, V. I. Glotov, V. V. Strelchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000778510 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Controlled technology of anodic alumina porous nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2017) -
Development of waveguide sensors basing on the thin-film structures of nanoporous anodic alumina-alumina
за авторством: T. S. Lebedeva, та інші
Опубліковано: (2015) -
The raman spectra of porous alumina nanocomposite films with Si quantum dots
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021) -
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)