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Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	V. V. Gladkovskij, O. A. Fedorovich
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000798647
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