Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: V. I. Gavrysh, R. B. Tushnitskij, Ja. Krajovskij, E. V. Levus
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2017
Назва видання:Electronic modeling
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS