Gavrysh, V. I., Tushnitskij, R. B., Krajovskij, J., & Levus, E. V. (2017). Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gavrysh, V. I., R. B. Tushnitskij, Ja Krajovskij, та E. V. Levus. Investigation of Temperature Fields in Microelectronic Devices of Layered Structure with Through Inclusions. 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gavrysh, V. I., et al. Investigation of Temperature Fields in Microelectronic Devices of Layered Structure with Through Inclusions. 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.