Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | V. I. Gavrysh, R. B. Tushnitskij, Ja. Krajovskij, E. V. Levus |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Electronic modeling |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thermal state modeling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2012) -
Thermal state modeling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions
за авторством: Gavrysh, V.I.
Опубліковано: (2012) -
Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh, та інші
Опубліковано: (2010) -
Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices
за авторством: Gavrysh, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2011)