Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2017
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| Schriftenreihe: | Electronic modeling |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |