Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812293 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|