Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000819841
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

The spin states of cobalt ions and thermo-e.m.f. in erbium and holmium cobaltites
за авторством: Khirnyi, V.F., та інші
Опубліковано: (2009)

Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of silver on thermal e.m.f and electric resistance of La-Sr-Co-O ceramics
за авторством: Kozlovskii, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Study of dynamic drag of dislocations in KCI crystals with impurities and different dislocation structure
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Thermodynamic properties of the AgGaGe3Se8 compound at T≤500 K determined by the emf method
за авторством: M. Moroz, та інші
Опубліковано: (2022)

Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)