Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000819841
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