Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Yu. V. Holtvianskyi, O. Y. Hudymenko, O. V. Dubikovskyi, O. I. Liubchenko, O. S. Oberemok, T. M. Sabov, S. V. Sapon, K. I. Chunikhina |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138339 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)
Investigations of characteristics of metal film based pyroelectric detectors implanted by Ar+ ions
за авторством: Lysyuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysyuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Investigation of 7Be population in reactions on nuclei of beryllium and boron with bremsstrahlung γ-rays in wide energy range
за авторством: V. O. Zheltonozhskyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. O. Zheltonozhskyi, та інші
Опубліковано: (2020)
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
Implantation of deuterium and helium ions into composite structure with tantalum coating
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the radiation-thermal oxidation of beryllium in the system Be-water by the methods of infrared and optical spectroscopy
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2023)
Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
Fast ion induced luminescence of silica implanted by molecular hydrogen
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Intense plastic deformation of high-purity cast beryllium
за авторством: Vasilev, A.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vasilev, A.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
Low-temperature positron annihilation study of B⁺-ion implanted PMMA
за авторством: Kavetskyy, T.S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kavetskyy, T.S., та інші
Опубліковано: (2014)
Low-temperature positron annihilation study of B+-ion implanted PMMA
за авторством: T. S. Kavetskyy, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. S. Kavetskyy, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
Optical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Multiscale modeling of the low-temperature electron irradiation of beryllium
за авторством: Bratchenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bratchenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Multiscale modeling of the low-temperature electron irradiation of beryllium
за авторством: Bratchenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Bratchenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV Ar⁺ ions
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2010)
Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV Ar+ ions
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
On Energetics of Formation of Small Vacancy Complexes in the H.C.P. Beryllium
за авторством: A. N. Timoshevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. N. Timoshevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
Progress in riboon ion beam implantation systems development
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Схожі ресурси
-
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)