Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | S. Tarelkin, V. Bormashov, M. Kuznetsov, S. Buga, S. Terentiev, D. Prikhodko, A. Golovanov, V. Blank |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Superhard Materials |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000692902 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: Tarelkin, S., та інші
Опубліковано: (2016) -
Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019) -
Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019) -
HFCVD synthesis of boron-doped microcrystalline diamonds
за авторством: Tao Zhang, та інші
Опубліковано: (2019) -
Structural transformations in boron carbooxynitride (BNCO) during HPHT synthesis and sintering
за авторством: H. S. Olieinyk, та інші
Опубліковано: (2022)