Зображення обкладинки

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714380
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of In/p-pbte structures
за авторством: H. P. Malanych, та інші
Опубліковано: (2012)

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)