Зображення обкладинки

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	P. V. Parphenyuk, A. A. Evtukh
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714525
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: N. O. Sukhovii, та інші
Опубліковано: (2018)

Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

XRD studies of surface layers in sapphire substrates of <101Bar2> crystalloghaphic orientation
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Two-layered quasioptical sapphire resonator for bio-liquids dielectrometry
за авторством: A. A. Barannik, та інші
Опубліковано: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Dislocation mechanisms of microcracking. A review
за авторством: V. R. Skalskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Wettability of sapphire
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Study of the state of the working surface of the tool at polishing the substrate from nitride aluminum
за авторством: Yu. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2018)

Impact fragmentation of sapphire
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarity of sapphire application in medicine
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2014)

Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Chemical bonding and optical bowing in III-nitrides solid solutions
за авторством: Voznyy, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)

On the words used as names for ruby and sapphire
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2011)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of a refrigerant on the efficiency of machining sapphire
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)

Anisotropy of deformation and fracture processes in sapphire surface
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)

Dependence of sapphire hardness on loading type and orientation
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)

Two-layer films Cu/Ni nanoparticles/substrate
за авторством: V. O. Zlenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Sapphire subdivision at different heat treating types
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2017)

Structure of aluminum nitride layers formed under ion-plasma spraying
за авторством: Z. A. Duriahina, та інші
Опубліковано: (2013)

Residual stresses in the structural steel layers nitrided in decaying discharge
за авторством: M. S. Stechyshyn, та інші
Опубліковано: (2018)