Зображення обкладинки

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	P. V. Parphenyuk, A. A. Evtukh
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714525
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: N. O. Sukhovii, та інші
Опубліковано: (2018)

Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

XRD studies of surface layers in sapphire substrates of <101Bar2> crystalloghaphic orientation
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Two-layered quasioptical sapphire resonator for bio-liquids dielectrometry
за авторством: A. A. Barannik, та інші
Опубліковано: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)

Impact fragmentation of sapphire
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)

Dislocation mechanisms of microcracking. A review
за авторством: V. R. Skalskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Study of the state of the working surface of the tool at polishing the substrate from nitride aluminum
за авторством: Yu. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2018)

Chemical bonding and optical bowing in III-nitrides solid solutions
за авторством: Voznyy, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

The effect of a refrigerant on the efficiency of machining sapphire
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)

Anisotropy of deformation and fracture processes in sapphire surface
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)

Dependence of sapphire hardness on loading type and orientation
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)

Two-layer films Cu/Ni nanoparticles/substrate
за авторством: V. O. Zlenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)

Effect of the crystallographic orientation on the sapphire surface roughness in diamond machining
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

To the question of channeling dislocation
за авторством: Krasil’nikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Koulychivka site: cultural layer III
за авторством: O. Sytnyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Residual stresses in the structural steel layers nitrided in decaying discharge
за авторством: M. S. Stechyshyn, та інші
Опубліковано: (2018)

Structure of aluminum nitride layers formed under ion-plasma spraying
за авторством: Z. A. Duriahina, та інші
Опубліковано: (2013)

Filamentation in the intersection region of two femtosecond laser beams in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Filamentation in the intersection region of two femtosecond laser beams in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Growth conditions influence on thermally stimulated luminescence of sapphire single crystals
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of steels ion nitriding in glow discharge on layers structure and properties
за авторством: M. S. Stechyshyn, та інші
Опубліковано: (2017)