Buchumschlag

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	P. V. Parphenyuk, A. A. Evtukh
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714525
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
von: Parphenyuk, P.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
von: Sukhovii, N. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
von: N. O. Sukhovii, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
von: Vovk, E.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
von: Safronov, R.I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
von: V. V. Tsybulenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

XRD studies of surface layers in sapphire substrates of <101Bar2> crystalloghaphic orientation
von: Tkachenko, V.F., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
von: V. Osinsky, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
von: Osinsky, V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
von: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
von: Filatov, O.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Two-layered quasioptical sapphire resonator for bio-liquids dielectrometry
von: A. A. Barannik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
von: Ja. A. Sychikova
Veröffentlicht: (2010)

Dislocation mechanisms of microcracking. A review
von: V. R. Skalskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Wettability of sapphire
von: Voloshyn, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
von: Tkachenko, V.F., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Study of the state of the working surface of the tool at polishing the substrate from nitride aluminum
von: Yu. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Impact fragmentation of sapphire
von: P. V. Konevskij, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Peculiarity of sapphire application in medicine
von: Lytvynov, L.A.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire
von: Nizhankovskiy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Chemical bonding and optical bowing in III-nitrides solid solutions
von: Voznyy, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Potentialities for sapphire strength enhancement
von: Voloshyn, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
von: Suprun, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)

On the words used as names for ruby and sapphire
von: Lytvynov, L.A.
Veröffentlicht: (2011)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
von: I. V. Blonskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
von: I. V. Blonskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The effect of a refrigerant on the efficiency of machining sapphire
von: A. V. Voloshin, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Anisotropy of deformation and fracture processes in sapphire surface
von: A. V. Voloshin, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Dependence of sapphire hardness on loading type and orientation
von: Sinani, A.B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Two-layer films Cu/Ni nanoparticles/substrate
von: V. O. Zlenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Sapphire subdivision at different heat treating types
von: Brodskii, R.Ye., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Structure of aluminum nitride layers formed under ion-plasma spraying
von: Z. A. Duriahina, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Residual stresses in the structural steel layers nitrided in decaying discharge
von: M. S. Stechyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2018)