Automated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | G. S. Pekar, A. A. Singaevsky, A. F. Singaevsky |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714528 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Аutomated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
за авторством: Pekar, G.S., та інші
Опубліковано: (2016) -
Linear polarization of photons produced by the electrons moving along the crystallographic plane in a silicon crystal
за авторством: Denyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2001) -
Large polycrystalline optical germanium Ge:Na plates with improved optical parameters and their application
за авторством: G. S. Pekar, та інші
Опубліковано: (2018) -
Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024) -
Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2004)