Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | V. V. Ilchenko, O. M. Kostiukevych, V. V. Lendiel, V. I. Radko, N. S. Holoborodko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide films
за авторством: V. V. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)
за авторством: Il'chenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Synthesis and research of new superacid ZrO2—SiO2—SnO2 oxide
за авторством: S. V. Prudius, та інші
Опубліковано: (2019)