Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) oxide films
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. V. Ilchenko, O. M. Kostiukevych, V. V. Lendiel, V. I. Radko, N. S. Holoborodko |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2016
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000727701 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Effect of Gas environment on electrophysical parameters of heterojunctions on the basis of schottky barrier with nano-structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide films
von: V. V. Ilchenko, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
von: V. A. Vynychenko, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
von: V. A. Vinichenko, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)
von: Il'chenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Synthesis and research of new superacid ZrO2—SiO2—SnO2 oxide
von: S. V. Prudius, et al.
Veröffentlicht: (2019)