Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | V. B. Neimash, H. I. Dovbeshko, Ye. Shepeliavyi, V. A. Danko, V. V. Melnyk, M. V. Isaiev, A. H. Kuzmych |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730790 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016) -
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014) -
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017) -
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014) -
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)