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Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	V. B. Neimash, H. I. Dovbeshko, Ye. Shepeliavyi, V. A. Danko, V. V. Melnyk, M. V. Isaiev, A. H. Kuzmych
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000730790
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