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Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816047
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