Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. M. Hontaruk, O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Nuclear physics and atomic energy |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000394027 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: Konoreva, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)