Зображення обкладинки

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	V. H. Vorobiov, O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000434434
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Characteristics of ADS target irradiated by 200…400 MeV proton beam
за авторством: Svistunov, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2013-04-04)

1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)

New target assembly for solid samples irradiation in 11-MeV medical cyclotron
за авторством: Bondar, B.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Nd-Fe-B magnets under electron irradiation with the energy of 23 MeV
за авторством: Bovda, V.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of MeV energy ion beams with high current density for materials micro-irradiation
за авторством: Romanenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

On the mechanism of photoneutron reactions at light tellurium isotopes in the 10–18 MeV interval
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2021)

A system for polymer film irradiation with heavy ions accelerated to the energy of 1 MeV/u
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Magnetic field losses in Nd-Fe-B magnets under 10 MeV electron irradiation
за авторством: Bovda, V.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

30 MeV injector for a synchrotron
за авторством: Chernov, K., та інші
Опубліковано: (2001)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Application of N-dimethyl benzoylamidophosphate-based coordination compounds in the development of the technology for metalloorganic light-emitting diodes (MOLED)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)

Elastic deuteron-triton scattering AT 37MeV
за авторством: Belyuskina, O.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Generation of MeV -energy protons in WWER reactor core
за авторством: Gann, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)