Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | V. H. Vorobiov, O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000434434 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015) -
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013) -
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024) -
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)