Influence of conditions of deposition and annealing on a nanohardness of amorphous Si–C–N films
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автор: | O. K. Porada |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000454323 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of the nitrogen flow on the properties of Si–C–N amorphous thin films produced by magnetron sputtering
за авторством: A. O. Kozak, та інші
Опубліковано: (2015) -
Evaluation of materials nanohardness by the spheroconical indenter
за авторством: V. I. Moshchenok, та інші
Опубліковано: (2017) -
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001) -
The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014)