Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. I. Vlasenko, V. P. Veleshchuk, Z. K. Vlasenko, M. P. Kyseliuk, P. H. Lytovchenko, I. V. Petrenko, V. P. Tartachnyk, M. B. Pinkovska |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schriftenreihe: | Nuclear physics and atomic energy |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516839 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
von: V. I. Osinskij, et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: V. I. Osinskij, et al.
Veröffentlicht: (2003)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
von: G. G. Gorokh, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: G. G. Gorokh, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Ähnliche Einträge
-
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010) -
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)