Physical Mechanisms of SiO2 Target Sputtering with Accelerated Ions of C60
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | M. V. Maleev, E. N. Zubarev, V. E. Pukha, A. N. Drozdov, A. S. Vus |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000551437 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The sputtering of silicon and carbon targets by accelerated ion by the fullerene C60
за авторством: M. V. Maleev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Features of the interaction of accelerated C60 ions with the ITO target surface
за авторством: M. V. Maleev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011) -
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011) -
Solid ion accelerator based on magnetron sputtering discharge
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2004)